本篇内容由PG电子整理：
前段时间，长鑫表现称，其4F² DRAM架构研发近期取得关键进展，预计将于2026年发布应用4F²架构的DRAM产品。
而这个时间，比三星、SK海力士等都要快，三星预计可能要到2028年才会量产，所以韩媒都称，这次在4F² DRAM架构，长鑫领先三星2年时间，这是中国存储芯片的进步。
什么是4F²架构？
什么又是6F²架构？
存储芯片与逻辑芯片不一样，存储芯片依靠电容存储的电荷多少来区分逻辑“1”和“0”，一个存储单元，通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）。
F代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距，而1T1C需要6F宽，所以传统的DRAM芯片，是6F²架构。
但4F²架构改进了晶体管的摆放方式，6F²架构下，晶体管是平面型摆放，而4F²架构下，晶体管是竖起来摆放，占用的面积就小一些，只要4F宽了，节约了三分之一，所以称之为4F²架构。
占用的面积越小，意味着同样的芯片，存储的东西会更多，存储密度会更高，这样可以让成本降低，容量提升，就相当于于工艺提升一样。
但有意思的是，当长鑫表示要推出4F²架构 DRAM后，美光站了出来说，美光不会推进4F²架构的商业化路线，转而延续现有6F²架构的演进，还称，美光研发了4F² DRAM 20年了，但该路线很复杂，且成本高，良率也不好控制，所以美光觉得继续去微缩6F²架构更好。
美光称，与其去投入资金攻克4F²架构的制造难题，还不如就利用EUV光刻机，对6F²架构进行持续微缩，或者通过晶圆键合、三维结构来突破平面型DRAM的物理限制，而不是搞一个竖起来的晶体管方式，这样不合算。
对于美光的说法，有人支持，也有人反对。
支持者认为，因为美光可以获得EUV光刻机，所以对晶体管进行微缩之类的可以持续下去，并不会受到限制，所以确实在目前没有太多必要去搞4F²架构。
反对者认为，这是美光技术不行，所以见不得长鑫的好，要站出来吐槽几下，你觉得是哪一个原因？
特别
更多体育资讯，关注PG电子。
